기술동향

절연체 기판 위 이중층 그래핀 성장

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기관명	NDSL
작성자	글로벌 과학기술정책 정보서비스
작성일자	2011-09-19 00:00:00.000
내용	미국 Rice 대학 연구진이 다양한 절연체 기판 위에 대면적의 균일한 이중층 그래핀을 직접 성장시킬 수 있는 방법을 개발했다. 산화실리콘 웨이퍼에 산소 플라즈마를 인가하고, 황산과 과산화수소가 4:1로 섞인 piranha 용액을 통해 클리닝을 실시했다. 톨루엔 속에 0.1 wt %로 섞은 200 uL PPMS (폴리(2-페닐프로필)메틸실록산)를 8000 rpm에서 2분간 코팅하여 4nm의 박막을 얻었다. PPMS가 코팅된 샘플 위에 열증착을 통해 니켈을 증착하고, 1000도, 7 Torr에서 수소 및 아르곤 가스 주입과 함께 7-20분 열처리하여 그래핀을 성장시켰다. 마지막으로 니켈을 제거하여 이중층 그래핀 성장을 증명했다.
출처
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=TREND&cn=ARTI-00000001087
첨부파일

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