| 시설장비 설명 |
반도체소자의전기적특성을평가하는분석기기로써반도체물질및박막 후막뿐만이아닌실험을통해만들어진디바이스의전반적인전기적특성을평가하기위한장비. 일반적으로인가된전압또는전류에대한디바이스의전기적반응을알아보기위하여 current-voltage (I-V) 또는 constant voltage stress (CVS) 등의측정을행하고있다. 또한 좀더넓은전기적인특성을알아보기위하여추가적인장비들과연동하여서인가된 pulse에대한 pulse반응성을평가할수있고 캐패시턴스및전압의전기적특성도알수있다. 저항변화메모리소자의경우 메모리소자로써의특성및소자동작 mechanism을평가하기위하여전압에따른전류의반응성을확인하게되는데이장비를이용하게된다. 또한 실질적메모리로써의동작을평가하기위하여 pulse generator와의연동을통하여pulse반응성을평가하게된다. 뿐만아니라 장비의새로운프로그래밍을통하여기존의전기적특성평가가아닌새로운평가도시행해볼수있다. 저항변화메모리소자의메모리로써의신뢰성테스트인고온에서의 Retention 특성 Endurance 특성또한이러한새로운프로그래밍을통하여평가되게된다. 대부분의 Material의특성은전기적또는광학적분석을통하여분석을할수있는데 이장비를통하여거의모든전기적특성을분석할수있다. 이는대부분의 Material 실험에대한분석을행할수있다는것을의미하며 광학적장비의추가설치가지원되는환경에서는광학적분석도진행시킬수있다. 이장비의활용성및호환성은생각해보았을때 기본재료연구에서부터고집적소자의분석까지다방면에서활용을할수있다. 또한 Inorganic material 뿐만아니라 Organic material 의분석에서도이장비를활용할수있다. |
