기업조회

본문 바로가기 주메뉴 바로가기

특허/실용신안

이상 광도전성(EOC) 효과에 기반한 고해상도 광자 검출 방법 및 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 워싱톤 유니버시티
출원번호 10-2012-7020369
출원일자 2012-08-02
공개번호 20121116
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명자들은 반도체/금속 계면을 갖는 금속-반도체 하이브리드(MSH) 구조체에서 이상 광도전성(EOC) 현상 및 바람직하게 역 EOC(I-EOC) 현상에 기반하여 실온에서 기능하며, 바람직하게 나노스케일 치수를 갖는 고성능 광학 센서를 개시한다.이러한 디자인은 베어(bear) 반도체에서 나타나지 않은 효과적인 광자 센싱을 보여준다.예시적인 실시예를 이용한 실험에서, 헬륨-네온 레이저 방사를 이용한 초고 공간 해상도 4-포인트 광도전성 측정치는 현저하게 큰 광도전성 특성을 보이고 있으며, 250 nm 소자의 경우 관측된 최대 계측치는 9460% EOC이다.이러한 예시적인 EOC 소자는 또한 632 nm 조명에 대해 5.06x1011 cm√Hz/W 보다 높은 구체적인 검출도를 보이며 또한 광범위한 실제 응용에 맞는 기술적으로 경쟁적인 센서를 제조하는 40 dB의 높은 다이나믹 반응을 보여준다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020127020369
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE
주제어 (키워드)